HMC509LP5E

Le HMC509LP5E est un transistor bipolaire à hétérojonction GaAs InGaP (HBT) MMIC VCO. Il intègre des résonateurs, des dispositifs à résistance négative, des diodes de réacteur et dispose d'une sortie à demi-fréquence. Les performances de bruit de phase du VCO sont excellentes en termes de température, de choc et de processus en raison de la structure monolithique de l'oscillateur. Les applications sont la radio VSAT, la radio point à point/multipoint, l'équipement de test et les contrôles industriels, l'utilisation finale militaire

• Aucun résonateur externe nécessaire
• Gamme de fréquence de 7.8 à 8.8GHz (, TA = +25° C, Vcc = +5V)
• Puissance de sortie +10dBm (min, RFOUT, TA = +25° C, Vcc = +5V)
• Bruit de phase SSB à 100KHz offset, Vtune= +5V at RFOUT is -115dBc/Hz (typ, TA = +25°C, Vcc = +5V)
• Plage de tension de reglage de 2 à 13V (TA = +25° C, Vcc = +5V)
• Courant d'alimentation (Icc) (Vcc = +5.0V) de 250mA (typ, TA = +25°C, Vcc = +5V)
• Courant de fuite du port de réglage (Vtune= 13V) est de 10µA (max, TA = +25°C, Vcc = +5V)
• Perte de retour de sortie de 2dB (typ, TA = +25°C, Vcc = +5V)
• Taux de dérive de fréquence de 0,9MHz/°C (typ, TA = +25°C, Vcc = +5V)
• Boîtier QFN, plage de température d'utilisation de -40 à +85°C

Remarques

Les produits ADI sont autorisés (et vendus) uniquement pour une utilisation par le client et ne doivent pas être revendus ou transmis d'aucune manière à une tierce partie.