HMC512LP5ETR

Le HMC512LP5E est un transistor bipolaire à hétérojonction GaAs InGaP (HBT) MMIC VCO. Il intègre des résonateurs, des dispositifs à résistance négative, des diodes varactor et comporte des sorties demi-fréquence et division par 4. Les performances de bruit de phase du VCO sont excellentes en termes de température, de choc et de processus en raison de la structure monolithique de l'oscillateur. La puissance de sortie est de +9 typique à partir d'une tension d'alimentation de +5V. La RF/2 fonction de prédiviseur peut être désactivée pour conserver le courant si elle n'est pas nécessaire. Il est largement utilisé dans des applications telles que la radio point à point/multipoint, les équipements de test et les contrôles industriels, SATCOM, l'utilisation finale militaire, etc.

• Bruit de phase de -110dBc/Hz typique à 100KHz
• Aucun résonateur externe nécessaire
• Gamme de fréquence de 9,6GHz à 10,8GHz
• Tension d'accord de 2V à 13V
• Courant d'alimentation 330mA typique avec (TA= +25°C)
• Taux de dérive de fréquence de 1,2MHz/°C typique à (TA = +25°C)
• Perte de retour de sortie de 3dB typique à (TA à +25°C)
• Température d'utilisation de -40°C à +85°C
• Boîtier SMT, 32 broches

Remarques

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