HMC7229LS6

Le HMC7229LS6 est un circuit arséniure de gallium (GaAs) à quatre étages, un transfert pseudomorphique à haute mobilité électronique (pHEMT), un circuit intégré monolithique à micro-ondes (MMIC), un amplificateur de puissance de 1 W, avec un détecteur de puissance intégré à compensation de température sur puce qui fonctionne entre 37GHz à 40GHz. Avec un excellent IP3 de 40dBm, le HMC7229LS6 est idéal pour les applications linéaires telles que les radios haute capacité, point à point ou multipoints ou les applications VSAT/SATCOM exigeant 32 dBm de puissance de sortie saturée efficace. Les entrées/sorties radiofréquence (RF) sont adaptées en interne et bloquées en courant continu pour faciliter l'intégration dans des assemblages de niveau supérieur. Les applications sont les radios point à point, les radios point à multipoint, les terminaux à très petite ouverture (VSAT) et les communications par satellite (SATCOM).

• Gamme de fréquence de 37 à 40GHz (TA=25°C, VDD1 à VDD4 (VDDx)=6V)
• Gain de 24dB typique (TA=25°C, VDD1 à VDD4 (VDDx)=6V)
• Variation du gain en fonction de la température de 0,058dB/°C typique (TA=25°C, VDD1 à VDD4 (VDDx)=6V)
• Entrée de 16dB typique (TA=25°C, VDD1 à VDD4 (VDDx) = 6V, perte de retour)
• Compression pour P1dB de 31,5dBm typique (TA=25°C, VDD1 à VDD4 (VDDx)=6V)
• Saturation de 32dBm typique (TA=25°C, VDD1 à VDD4 (VDDx) = 6V)
• Point d'interception du troisième ordre (IP3) 40dBm typique (TA=25°C, VDD1 à VDD4 (VDDx)=6V)
• Courant d'alimentation total 1200mA (TA=25°C, VDD1 à VDD4 (VDDx)=6V)
• Boîtier LCC-HS 16 broches
• Plage de température de -40°C à +85°C

Remarques

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