HMC739LP4E

Le HMC739LP4E est un transistor bipolaire à hétérojonction GaAs InGaP (HBT) MMIC VCO. Le HMC739LP4(E) intègre un résonateur, un composant à résistance négative, une diode varactor et un diviseur par 16. Les performances de bruit de phase du VCO sont excellentes en termes de température, de choc et de processus en raison de la structure monolithique de l'oscillateur. Les applications typiques sont les radios point à point, les radios point à multipoint / LMDS, VSAT

• Aucun résonateur externe nécessaire
• Gamme de fréquences de 23,8 à 26,8GHz (Fo, TA = +25°C, Vcc(RF), Vcc(DIG) = +5V)
• Puissance de sortie de 3dBm (min, RF OUT, TA = +25°C, Vcc(RF), Vcc(DIG) = +5V)
• Bruit de phase SSB à offset 100KHz, Vtune= +5V à RF Sortie de -93dBc/Hz (typ. TA = +25°C)
• Plage de tension de réglage de 1 à 13V (TA = +25°C, Vcc(RF), Vcc(DIG) = +5V)
• Courant d'alimentation 200mA (typ, Icc (RF), Icc (DIG), TA = +25°C, Vcc(RF), Vcc(DIG) = +5V)
• Courant de fuite du port de réglage (Vtune= 13V) de 10µA (max, TA = +25°C, Vcc(RF), Vcc(DIG) = +5V)
• Perte de retour de sortie de 3dB (typ, TA = +25°C, Vcc (RF), Vcc(DIG) = +5V)
• Taux de dérive de fréquence de 4MHz/°C (typ, TA = +25°C, Vcc(RF), Vcc(DIG) = +5V)
• Boîtier SMD 24 broches, Plage de température de -40 à +85°C

Remarques

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