HMC8205BF10

Le HMC8205BF10 est un amplificateur de puissance, large bande en nitrure de gallium (GaN) qui délivre 45.5dBm (35W) avec une efficacité de puissance ajoutée (PAE) de 38% sur instantanée passante de 0,3GHz à 6GHz. Aucune correspondance externe n'est requise pour obtenir un fonctionnement sur toute la bande. De plus, aucune inductance externe n'est requise pour polariser l'amplificateur. De plus, des condensateurs de blocage DC pour les broches RFIN et RFOUT sont intégrés au HMC8205BF10. Il est idéal pour les applications à ondes pulsées ou continues (CW), telles que les brouilleurs militaires, les infrastructures sans fil, les radars et l'amplification à usage général. Les applications incluent les brouilleurs militaires, les radars commerciaux et militaires, les étages amplificateurs de puissance pour les infrastructures sans fil, les équipements de test et de mesure.

• Puissance de sortie saturée de 46dBm typique (TA = 25°C, VDD = 50V, IDQ = 1 300mA)
• Gamme de fréquence de 0,3GHz à 3GHz (TA = 25°C, VDD = 50V, IDQ = 1300mA)
• Gain faible signal 26dB typique (TA = 25°C, VDD = 50V, IDQ = 1300mA)
• Planéité du gain de ±2dB typique (TA = 25°C, VDD = 50V, IDQ = 1 300mA)
• Perte de réflexion typique de 13dB (Entrée, TA = 25°C, VDD = 50V, IDQ = 1 300mA)
• Perte de réflexion typique de 12dB (sortie, TA = 25°C, VDD = 50V, IDQ = 1 300mA)
• Puissance compressée de 45dBm typique, 4dB (TA = 25°C, VDD = 50V, IDQ = 1 300mA)
• Gain de puissance pour PSAT de 20dB typique à (TA = 25°C, VDD = 50V)
• Plage de tension d'alimentation de 28V à 55V (TA = 25°C, VDD = 50V, IDQ = 1300mA)
• Boîtier LDCC 10 broches, Plage de température de -40°C à +85°C

Remarques

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