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GD1400HFX170P2S
Module IGBT, Demi-pont, 2.342 kA, 1.95 V, 9.37 kW, 150 °C, Module
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Informations produit
FabricantSTARPOWER
Réf. FabricantGD1400HFX170P2S
Code Commande3549224
Fiche technique
Configuration IGBTDemi-pont
Courant de collecteur DC2.342kA
Courant Collecteur Continu2.342kA
Tension de saturation Emetteur Collecteur1.95V
Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on)1.95V
Dissipation de puissance9.37kW
Dissipation de puissance Pd9.37kW
Température de jonction Tj Max.150°C
Température d'utilisation Max.150°C
Type de boîtier de transistorModule
Borne IGBTGoujon
Tension Collecteur Emetteur Max1.7kV
Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo1.7kV
Technologie IGBTTrench Field Stop
Montage transistorPanneau
Gamme de produit-
SVHCTo Be Advised
Aperçu du produit
Avertissements
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Spécifications techniques
Configuration IGBT
Demi-pont
Courant Collecteur Continu
2.342kA
Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on)
1.95V
Dissipation de puissance Pd
9.37kW
Température d'utilisation Max.
150°C
Borne IGBT
Goujon
Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo
1.7kV
Montage transistor
Panneau
SVHC
To Be Advised
Courant de collecteur DC
2.342kA
Tension de saturation Emetteur Collecteur
1.95V
Dissipation de puissance
9.37kW
Température de jonction Tj Max.
150°C
Type de boîtier de transistor
Module
Tension Collecteur Emetteur Max
1.7kV
Technologie IGBT
Trench Field Stop
Gamme de produit
-
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :To Be Advised
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Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.3