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Transistors MOSFET Silicon Carbide (SiC):

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Ingénieur
Fabricant
Configuration du module MOSFET
Type de canal
Courant de drain Id
Tension Drain-Source Vds
Résistance Drain-Source à l'état-ON
Type de boîtier de transistor
Nbre de broches
Tension de test Rds(on)
Tension de seuil Vgs Max
Dissipation de puissance
Température d'utilisation Max.
Gamme de produit
Emballage
Filtre(s) appliqué(s)
1 Filtre(s) sélectionné(s)
ComparerPrix pourQuantité
4312123

RoHS

Pièce
1+
10,910 €
5+
9,400 €
10+
7,890 €
50+
7,690 €
100+
7,540 €
Plus de tarifs
Min : 1 / Mult : 1
Simple
Canal N
36A
1.2kV
0.12ohm
TO-247
3Broche(s)
15V
2.9V
202W
175°C
-
4335825

RoHS

Date/Lot Code

Pièce (fournie en bande découpée)
Bandes découpées
1+
10,270 €
5+
8,870 €
10+
7,460 €
50+
7,370 €
100+
6,930 €
Plus de tarifs
Min : 1 / Mult : 1
Simple
Canal N
38A
1.2kV
0.075ohm
TO-263HV
7Broche(s)
20V
5.1V
202W
175°C
CoolSiC Series
4335825RL

RoHS

Date/Lot Code

Pièce (fournie en bande découpée)
Mise en bobine
Options de conditionnement
10+
7,460 €
50+
7,370 €
100+
6,930 €
250+
6,790 €
Min : 10 / Mult : 1
Simple
Canal N
38A
1.2kV
0.075ohm
TO-263HV
7Broche(s)
20V
5.1V
202W
175°C
CoolSiC Series
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