Transistors MOSFET Silicon Carbide (SiC):
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Acheteur
Ingénieur
Fabricant
Configuration du module MOSFET
Type de canal
Courant de drain Id
Tension Drain-Source Vds
Résistance Drain-Source à l'état-ON
Type de boîtier de transistor
Nbre de broches
Tension de test Rds(on)
Tension de seuil Vgs Max
Dissipation de puissance
Température d'utilisation Max.
Gamme de produit
Emballage
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Comparer | Prix pour | Quantité | |||||||||||||||||
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Pièce | 1+ 10,910 € 5+ 9,400 € 10+ 7,890 € 50+ 7,690 € 100+ 7,540 € Plus de tarifs | Min : 1 / Mult : 1 | Simple | Canal N | 36A | 1.2kV | 0.12ohm | TO-247 | 3Broche(s) | 15V | 2.9V | 202W | 175°C | - | |||||
Pièce (fournie en bande découpée) Bandes découpées | 1+ 10,270 € 5+ 8,870 € 10+ 7,460 € 50+ 7,370 € 100+ 6,930 € Plus de tarifs | Min : 1 / Mult : 1 | Simple | Canal N | 38A | 1.2kV | 0.075ohm | TO-263HV | 7Broche(s) | 20V | 5.1V | 202W | 175°C | CoolSiC Series | |||||
Pièce (fournie en bande découpée) Mise en bobine Options de conditionnement | 10+ 7,460 € 50+ 7,370 € 100+ 6,930 € 250+ 6,790 € | Min : 10 / Mult : 1 | Simple | Canal N | 38A | 1.2kV | 0.075ohm | TO-263HV | 7Broche(s) | 20V | 5.1V | 202W | 175°C | CoolSiC Series |