Imprimer la page
AIMBG120R060M1XTMA1
MOSFET en carbure de silicium, Simple, Canal N, 38 A, 1.2 kV, 0.075 ohm, TO-263HV
Ces images sont uniquement fournies à titre d'illustration. Veuillez consulter la description du produit.
FabricantINFINEON
Réf. FabricantAIMBG120R060M1XTMA1
Code Commande4335825RL
Gamme de produitCoolSiC Series
Egalement appeléAIMBG120R060M1, SP005577229
Fiche technique
950 En Stock
Vous en voulez davantage ?
Livraison EXPRESS le jour ouvrable suivant
Commander avant 17:00
Livraison standard GRATUITE
pour les commandes de 0,00 € et plus
Les délais de livraison exacts seront calculés lors du paiement
| Quantité | |
|---|---|
| 10+ | 7,460 € |
| 50+ | 7,370 € |
| 100+ | 6,930 € |
| 250+ | 6,790 € |
Prix pour :Pièce (fournie en bande découpée)
Minimum: 10
Multiple: 1
79,60 € (sans TVA)
Des frais de mise en bobine de 5,00 € seront appliqués pour ce produit
Ajouter Référence Interne / Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Ce numéro sera ajouté à la confirmation de commande, à la facture, au bon d’expédition, à l’e-mail de confirmation Web et à l’étiquette.
Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantAIMBG120R060M1XTMA1
Code Commande4335825RL
Gamme de produitCoolSiC Series
Egalement appeléAIMBG120R060M1, SP005577229
Fiche technique
Configuration du module MOSFETSimple
Type de canalCanal N
Courant de drain Id38A
Tension Drain-Source Vds1.2kV
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.075ohm
Type de boîtier de transistorTO-263HV
Nbre de broches7Broche(s)
Tension de test Rds(on)20V
Tension de seuil Vgs Max5.1V
Dissipation de puissance202W
Température d'utilisation Max.175°C
Gamme de produitCoolSiC Series
Spécifications techniques
Configuration du module MOSFET
Simple
Courant de drain Id
38A
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.075ohm
Nbre de broches
7Broche(s)
Tension de seuil Vgs Max
5.1V
Température d'utilisation Max.
175°C
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Type de canal
Canal N
Tension Drain-Source Vds
1.2kV
Type de boîtier de transistor
TO-263HV
Tension de test Rds(on)
20V
Dissipation de puissance
202W
Gamme de produit
CoolSiC Series
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.001
Traçabilité des produits