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Informations produit
Aperçu du produit
La S29AL008J70TFI010 est une mémoire flash, secteur de démarrage CMOS, 8 Mo organisée en 1048576 octets ou 524288 mots. Les données à l'échelle du mot apparaissent sur DQ15-DQ0, les données à l'échelle de l'octet apparaissent sur DQ7-DQ0. Cet appareil est conçu pour être programmé dans le système avec l'alimentation standard du système 3VCC L'appareil peut également être programmé dans des programmateurs EPROM standard. L'appareil offre des temps d'accès allant jusqu'à 70ns permettant aux microprocesseurs à grande vitesse de fonctionner sans états d'attente. Pour éliminer les conflits de bus, l'appareil dispose de commandes séparées d'activation de puce (CE#), d'activation d'écriture (WE#) et d'activation de sortie (OE#). L'appareil ne nécessite qu'une seule alimentation 3V pour les fonctions de lecture et d'écriture. Les tensions régulées et générées en interne sont fournies pour les opérations du programme. Le S29AL008J est un jeu de commandes entièrement compatible avec la norme flash à alimentation unique JEDEC. Les commandes sont écrites dans le registre de commandes à l'aide de synchronisations d'écriture standard du microprocesseur.
- Périphérique de secteur de démarrage supérieur
- Fabriqué sur la technologie de processus 110nm - Entièrement compatible avec 200nm S29AL008D
- Région du secteur silicium sécurisé
- Architecture sectorielle flexible
- Méthode matérielle de verrouillage d'un secteur pour empêcher tout programme ou opération d'effacement dans ce secteur
- Réduit le temps de programmation global lors de l'émission de plusieurs séquences de commandes de programme
- Brochage et logiciel compatibles avec flash à alimentation unique
- Protection supérieure en écriture par inadvertance
- Haute performance
- Consommation ultra faible puissance
- Endurance cyclique : 1000000 cycles par secteur
- Conservation des données : 20 ans Typique
- Effacer la suspension/effacer la reprise
- Bits d'interrogation et de basculement des données
- Fournit une méthode matérielle de détection de l'achèvement du programme ou du cycle d'effacement
- Méthode matérielle pour réinitialiser l'appareil à la lecture des données de la matrice
Spécifications techniques
NON-OU Parallèle
1M x 8 bits / 512K x 16 bits
TSOP
-MHz
2.7V
3V
-40°C
3V Parallel NOR Flash Memories
No SVHC (21-Jan-2025)
8Mbit
CFI
48Broche(s)
70ns
3.6V
Montage en surface
85°C
MSL 3 - 168 heures
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Thailand
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
RoHS
RoHS
Certificat de conformité du produit