CY62146EV30LL-45ZSXIT

La CY62146EV30LL-45ZSXIT est une RAM statique CMOS hautes performances de 4Mbit (256K × 16) organisée en 256K mots par 16 bits. Ce composant présente une conception de circuit avancée pour fournir un courant actif ultra faible. Courant actif ultra faible parfait pour fournir More Battery Life™ (MoBL®) dans les applications portables telles que les téléphones portables. Le composant dispose également d'une fonction de mise hors tension automatique qui réduit considérablement la consommation d'énergie de 80% lorsque les adresses ne changent pas. Ce composant peut également être mis en mode veille, réduisant ainsi la consommation d'énergie de plus de 99% lorsqu'il est désélectionné (CE HIGH actif à l'état bas). Les applications incluent l'automatisation industrielle.

• Plage VCC de 2,2 à 3,6V, vitesse de 45ns
• Plage de fonctionnement ICC à partir de 3,5mA typ. (f = 1MHz, VCC = VCC (typ.), TA = 25°C)
• L'ISB2 en veille est de 2,5µA typ. (VCC=VCC (typ), TA=25°C)
• Brochage compatible avec les CY62146DV30
• Courant actif de 3,5mA typique à f = 1MHz
• Extension de mémoire facile avec les fonctionnalités CE faible active et OE faible active
• Arrêt automatique quand désélectionné
• Semi-conducteur à oxyde métallique complémentaire (CMOS) pour une vitesse et une puissance optimales
• Capacité d'entrée et de sortie de 10pF max (TA = 25°C, f = 1MHz, VCC = VCC (typ))
• Boîtier TSOP II, 44 broches, plage de température industrielle de -40°C à +85°C