CY62148ELL-55SXIT

Le CY62148ELL-55SXIT est une RAM statique CMOS hautes performances, 4 Mbit (512K × 8) organisée en 512K mots sur 8 bits. Ce composant présente une conception de circuit avancée pour fournir un courant actif ultra faible. Il est idéal pour prolonger la durée de vie de la batterie (MoBL®) dans les applications portables. Le composant dispose également d'une fonction de mise hors tension automatique qui réduit considérablement la consommation d'énergie lorsque les adresses ne basculent pas. Mettre le circuit en mode veille réduit la consommation électrique de plus de 99% lorsqu'il est désélectionné (CE HIGH actif à l'état bas). Les huit broches d'entrée et de sortie (I/O0 à I/O7) sont placées dans un état haute impédance lorsque le périphérique est désélectionné (CE HIGH actif à l'état bas), la sortie est désactivée (OE HIGH actif à l'état bas) ou pendant une opération d'écriture active (CE LOW et WE LOW actif à l'état bas). Les applications sont les systèmes d'alarme intelligents.

• Plage VCC de 4,5 à 5,5V, vitesse de 45ns
• Plage de fonctionnement ICC à partir de 3,5mA typ. (f = 1MHz, VCC = VCC (typ.), TA = 25°C)
• L'ISB2 en veille est de 2,5µA typ. (VCC=VCC (typ), TA=25°C)
• Brochage compatible avec les CY62148B
• Courant actif de 3,5mA typique à f = 1MHz
• Extension de mémoire facile avec les fonctionnalités CE faible active et OE faible active
• Arrêt automatique quand désélectionné
• Semi-conducteur à oxyde métallique complémentaire (CMOS) pour une vitesse et une puissance optimales
• Capacité d'entrée et de sortie de 10pF max (TA = 25°C, f = 1MHz, VCC = VCC (typ))
• Boîtier SOIC 32 broches, Plage de température industrielle de -40°C à +85°C