FM24V10-G

La FM24V10-G est une mémoire non volatile 1Mbit utilisant un processus ferroélectrique avancé. Une F-RAM ou mémoire ferroélectrique à accès aléatoire, non volatile et effectue des lectures et écritures similaires à une RAM. Elle assure une rétention de données fiable pour 151 ans tout en éliminant les complexités et les problèmes de fiabilité au niveau du système causés par les EEPROM ou d'autres mémoires non volatiles. La FM24V10 est capable de prendre en charge 10^14 cycles de lecture/écriture, soit 100 millions de fois plus de cycles d'écriture qu'une EEPROM. Ces capacités rendent le FM24V10 idéal pour les applications de mémoire non volatile, nécessitant des écritures fréquentes ou rapides. Les exemples vont de l'enregistrement des données, où le nombre de cycles d'écriture peut être critique, aux contrôles industriels exigeants où le long temps d'écriture de l'EEPROM peut entraîner une perte de données. La combinaison de fonctionnalités permet une écriture de données plus fréquente avec moins de surcharge pour le système.

• Mémoire vive ferroélectrique (F-RAM) de 16Kbits organisée logiquement en 128K × 8
• Haute endurance 100 000 milliards (10^14) de lectures/écritures, conservation des données pendant 151 ans
• Écriture NoDelay™, processus ferroélectrique avancé, haute fiabilité
• Interface série rapide à 2 fils (I2C), remplacement matériel direct de l'EEPROM série (I2C)
• Jusqu'à 3,4MHz de fréquence, prend en charge les synchronisations héritées pour 100kHz et 400kHz
• Alimentation de 2 à 3.6V
• Courant de veille de 150µA max. à SCL = SDA = VDD
• Courant de fuite de sortie de +1µA max. à VSS ≤ VIN ≤ VDD
• Boîtier SOIC 8 broches
• Température industrielle de -40°C à +85°C