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DMC3016LNS-7
MOSFET double, Complémentaire canal N et P, 30 V, 30 V, 9 A, 9 A, 0.012 ohm
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Informations produit
FabricantDIODES INC.
Réf. FabricantDMC3016LNS-7
Code Commande2709539
Fiche technique
Type de canalComplémentaire canal N et P
Tension Drain Source Vds, Canal N30V
Tension drain source Vds, Canal P30V
Courant de drain continu Id, Canal N9A
Courant de drain continu Id, Canal P9A
Résistance Etat ON Drain Source, Canal N0.012ohm
Résistance Etat ON Drain Source, Canal P0.012ohm
Type de boîtier de transistorPowerDI3333
Nbre de broches8Broche(s)
Dissipation de puissance Canal P1.3W
Dissipation de puissance, Canal P1.3W
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produit-
Qualification-
MSLMSL 1 - Illimité
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Spécifications techniques
Type de canal
Complémentaire canal N et P
Tension drain source Vds, Canal P
30V
Courant de drain continu Id, Canal P
9A
Résistance Etat ON Drain Source, Canal P
0.012ohm
Nbre de broches
8Broche(s)
Dissipation de puissance, Canal P
1.3W
Gamme de produit
-
MSL
MSL 1 - Illimité
Tension Drain Source Vds, Canal N
30V
Courant de drain continu Id, Canal N
9A
Résistance Etat ON Drain Source, Canal N
0.012ohm
Type de boîtier de transistor
PowerDI3333
Dissipation de puissance Canal P
1.3W
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000034
Traçabilité des produits