Imprimer la page
DMG2305UX-7
MOSFET de puissance, Canal P, 20 V, 4.2 A, 0.052 ohm, SOT-23, Montage en surface
Ces images sont uniquement fournies à titre d'illustration. Veuillez consulter la description du produit.
292.778 En Stock
Vous en voulez davantage ?
Livraison EXPRESS le jour ouvrable suivant
Commander avant 17:00
Livraison standard GRATUITE
pour les commandes de 0,00 € et plus
Les délais de livraison exacts seront calculés lors du paiement
| Quantité | |
|---|---|
| 5+ | 0,138 € |
| 10+ | 0,0935 € |
| 100+ | 0,0667 € |
| 500+ | 0,0609 € |
| 1000+ | 0,0584 € |
| 5000+ | 0,0387 € |
Prix pour :Pièce (fournie en bande découpée)
Minimum: 5
Multiple: 5
0,69 € (sans TVA)
Ajouter Référence Interne / Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Ce numéro sera ajouté à la confirmation de commande, à la facture, au bon d’expédition, à l’e-mail de confirmation Web et à l’étiquette.
Informations produit
FabricantDIODES INC.
Réf. FabricantDMG2305UX-7
Code Commande2543533
Fiche technique
Type de canalCanal P
Tension Drain-Source Vds20V
Courant de drain Id4.2A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.052ohm
Type de boîtier de transistorSOT-23
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)4.5V
Tension de seuil Vgs Max900mV
Dissipation de puissance1.4W
Nbre de broches3Broche(s)
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produit-
Qualification-
MSL-
Aperçu du produit
DMG2305UX-7 is a P-channel enhancement mode MOSFET. This MOSFET is designed to minimize on-state resistance (RDS(on)), yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications. Typical applications include backlighting, power management functions, DC-DC converters, motor controls.
- Low input capacitance, low on-resistance
- Fast switching speed
- Drain-source voltage is -20V at TA=+25°C
- Gate-source voltage is ±8V at TA=+25°C
- Continuous drain current is -4.2A at TA=+25°C, VGS = -4.5V, steady state
- Pulsed drain current (10µs pulse, duty cycle = 1%) is -15A at TA = +25°C
- Static drain-source on-resistance is 40mohm typ at VGS = -4.5V, ID = -4.2A, TA = +25°C
- Gate threshold voltage is -0.9V max at VDS = VGS, ID = -250µA, TA = +25°C
- SOT23 (standard) case
- Operating and storage temperature range from -55 to +150°C
Spécifications techniques
Type de canal
Canal P
Courant de drain Id
4.2A
Type de boîtier de transistor
SOT-23
Tension de test Rds(on)
4.5V
Dissipation de puissance
1.4W
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Tension Drain-Source Vds
20V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.052ohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
900mV
Nbre de broches
3Broche(s)
Gamme de produit
-
MSL
-
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour DMG2305UX-7
1 produit trouvé
Produits associés
3 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000059