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DMN2013UFDE-7
MOSFET de puissance, Canal N, 20 V, 10.5 A, 0.0084 ohm, U-DFN2020, Montage en surface
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| 100+ | 0,573 € |
| 500+ | 0,549 € |
| 1000+ | 0,538 € |
Prix pour :Pièce (fournie en bande découpée)
Minimum: 100
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Informations produit
FabricantDIODES INC.
Réf. FabricantDMN2013UFDE-7
Code Commande3680120RL
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Drain-Source Vds20V
Courant de drain Id10.5A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.0084ohm
Type de boîtier de transistorU-DFN2020
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)4.5V
Tension de seuil Vgs Max1.1V
Dissipation de puissance2.03W
Nbre de broches6Broche(s)
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produit-
QualificationAEC-Q101
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
10.5A
Type de boîtier de transistor
U-DFN2020
Tension de test Rds(on)
4.5V
Dissipation de puissance
2.03W
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Tension Drain-Source Vds
20V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.0084ohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
1.1V
Nbre de broches
6Broche(s)
Gamme de produit
-
MSL
MSL 1 - Illimité
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000121
Traçabilité des produits