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DMN2025UFDB-7
MOSFET double, Canal N, 20 V, 20 V, 6 A, 6 A, 0.0185 ohm
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| 500+ | 0,302 € |
| 1000+ | 0,286 € |
| 5000+ | 0,138 € |
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Informations produit
FabricantDIODES INC.
Réf. FabricantDMN2025UFDB-7
Code Commande3680124
Type de canalCanal N
Tension Drain Source Vds, Canal N20V
Tension drain source Vds, Canal P20V
Courant de drain continu Id, Canal N6A
Courant de drain continu Id, Canal P6A
Résistance Etat ON Drain Source, Canal N0.0185ohm
Résistance Etat ON Drain Source, Canal P0.0185ohm
Type de boîtier de transistorU-DFN2020
Nbre de broches6Broche(s)
Dissipation de puissance Canal P1.4W
Dissipation de puissance, Canal P1.4W
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produit-
Qualification-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Tension drain source Vds, Canal P
20V
Courant de drain continu Id, Canal P
6A
Résistance Etat ON Drain Source, Canal P
0.0185ohm
Nbre de broches
6Broche(s)
Dissipation de puissance, Canal P
1.4W
Gamme de produit
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Tension Drain Source Vds, Canal N
20V
Courant de drain continu Id, Canal N
6A
Résistance Etat ON Drain Source, Canal N
0.0185ohm
Type de boîtier de transistor
U-DFN2020
Dissipation de puissance Canal P
1.4W
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
-
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000121
Traçabilité des produits