Imprimer la page
Ces images sont uniquement fournies à titre d'illustration. Veuillez consulter la description du produit.
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 46 semaine(s)
Contactez-moi quand le produit sera à nouveau en stock
Quantité | |
---|---|
2500+ | 0,177 € |
7500+ | 0,173 € |
Prix pour :Pièce (fournie en bobine complète)
Minimum: 2500
Multiple: 2500
442,50 € (sans TVA)
Ajouter Référence Interne / Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Ce numéro sera ajouté à la confirmation de commande, à la facture, au bon d’expédition, à l’e-mail de confirmation Web et à l’étiquette.
Informations produit
FabricantDIODES INC.
Réf. FabricantDMN6068LK3-13
Code Commande4318526
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Drain-Source Vds60V
Courant de drain Id6A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.068ohm
Type de boîtier de transistorTO-252 (DPAK)
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max3V
Dissipation de puissance4.12W
Nbre de broches3Broche(s)
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produit-
Qualification-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Aperçu du produit
Le DMN6068LK3-13 est un MOSFET en mode d'amélioration, canal N dans un boîtier TO252, 3 broches. Ce MOSFET est conçu pour minimiser la résistance à l'état passant (RDS(ON)) tout en maintenant des performances de commutation supérieures, ce qui le rend idéal pour les applications de gestion de l'alimentation à haute efficacité. Les applications typiques incluent le contrôle du moteur, le commutateur de commande de transformateur, les convertisseurs DC-DC, les fonctions de gestion d'alimentation et les onduleurs
- Tension Dain-Source 60V
- Tension Grille-Source de ±20V
- Courant de drain pulsé de 22,2A.
- Faible résistance "On"
- Température d'utilisation de -55°C à +150°C
- Qualifié aux normes AEC-Q101 pour une haute fiabilité
- Vitesse de commutation rapide
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
6A
Type de boîtier de transistor
TO-252 (DPAK)
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
4.12W
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
-
Tension Drain-Source Vds
60V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.068ohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
3V
Nbre de broches
3Broche(s)
Gamme de produit
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000121
Traçabilité des produits