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DMN61D9UT-7
MOSFET de puissance, Canal N, 60 V, 350 mA, 1.2 ohm, SOT-523, Montage en surface
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Informations produit
FabricantDIODES INC.
Réf. FabricantDMN61D9UT-7
Code Commande3589338
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Drain-Source Vds60V
Courant de drain Id350mA
Résistance Drain-Source à l'état-ON1.2ohm
Type de boîtier de transistorSOT-523
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)5V
Tension de seuil Vgs Max1V
Dissipation de puissance260mW
Nbre de broches3Broche(s)
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produit-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (15-Jan-2018)
Aperçu du produit
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Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
350mA
Type de boîtier de transistor
SOT-523
Tension de test Rds(on)
5V
Dissipation de puissance
260mW
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (15-Jan-2018)
Tension Drain-Source Vds
60V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
1.2ohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
1V
Nbre de broches
3Broche(s)
Gamme de produit
-
MSL
-
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (15-Jan-2018)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000121
Traçabilité des produits