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MMDT5551-7-F
Réseau de transistors bipolaires, Double, Double NPN, 160 V, 200 mA, 200 mW
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| Quantité | |
|---|---|
| 5+ | 0,353 € |
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| 100+ | 0,126 € |
| 500+ | 0,0886 € |
| 1000+ | 0,0815 € |
| 5000+ | 0,0552 € |
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Informations produit
FabricantDIODES INC.
Réf. FabricantMMDT5551-7-F
Code Commande1773597
Fiche technique
Polarité transistorDouble NPN
Tension Collecteur Emetteur Max NPN160V
Tension Collecteur Emetteur Max PNP-
Courant de collecteur continu NPN200mA
Courant de collecteur continu PNP-
Dissipation de puissance NPN200mW
Dissipation de puissance PNP-
Gain de courant DC hFE Min NPN80hFE
Gain de courant DC hFE Min PNP-
Type de boîtier de transistorSOT-363
Nombre de broches6Broche(s)
Montage transistorMontage en surface
Température de fonctionnement max..150°C
Fréquence de transition NPN300MHz
Fréquence de transition PNP-
Gamme de produit-
Qualification-
MSLMSL 1 - Illimité
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Aperçu du produit
Le MMDT5551-7-F est un réseau de transistors bipolaire, montage en surface, double NPN, faible signal offrant un courant de collecteur continu de 200 mA et une tension collecteur-base de 180V. Il est idéal pour l'amplification et la commutation de puissance moyenne.
- Indice d'inflammabilité UL94V-0
- Construction épitaxiale matrices planaires
- Boîtier ultra-petit montage en surface
- Composant vert
- Le PNP complémentaire est le MMDT5401
- Température d'utilisation -55 à 150°C
Avertissements
La forte demande du marché pour ce produit, entraîné une augmentation des délais. Les dates de livraison peuvent varier. Produit exempt de remises.
Spécifications techniques
Polarité transistor
Double NPN
Tension Collecteur Emetteur Max PNP
-
Courant de collecteur continu PNP
-
Dissipation de puissance PNP
-
Gain de courant DC hFE Min PNP
-
Nombre de broches
6Broche(s)
Température de fonctionnement max..
150°C
Fréquence de transition PNP
-
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Tension Collecteur Emetteur Max NPN
160V
Courant de collecteur continu NPN
200mA
Dissipation de puissance NPN
200mW
Gain de courant DC hFE Min NPN
80hFE
Type de boîtier de transistor
SOT-363
Montage transistor
Montage en surface
Fréquence de transition NPN
300MHz
Gamme de produit
-
MSL
MSL 1 - Illimité
Documents techniques (3)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2024)
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Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000064
Traçabilité des produits