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Informations produit
FabricantDIODES INC.
Réf. FabricantZTX605
Code Commande9525912
Fiche technique
Polarité transistorNPN
Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo120V
Dissipation de puissance Pd1W
Courant de collecteur DC1A
Boîtier de transistor RFTO-92
Nombre de broches3Broche(s)
Gain en courant DC hFE2000hFE
Montage transistorTraversant
Température de fonctionnement max..200°C
Gamme de produit-
Qualification-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Aperçu du produit
Le ZTX605 est un transistor Darlington de puissance moyenne planaire en silicium NPN 140V avec une dissipation de puissance de 2W.
- Gain de 2K à Ic = 1A
Spécifications techniques
Polarité transistor
NPN
Dissipation de puissance Pd
1W
Boîtier de transistor RF
TO-92
Gain en courant DC hFE
2000hFE
Température de fonctionnement max..
200°C
Qualification
-
Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo
120V
Courant de collecteur DC
1A
Nombre de broches
3Broche(s)
Montage transistor
Traversant
Gamme de produit
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Documents techniques (3)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000156
Traçabilité des produits