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ZVN4206AV
MOSFET de puissance, Canal N, 60 V, 600 mA, 1 ohm, E-Line, Traversant
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Informations produit
FabricantDIODES INC.
Réf. FabricantZVN4206AV
Code Commande9526196
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Drain-Source Vds60V
Courant de drain Id600mA
Résistance Drain-Source à l'état-ON1ohm
Type de boîtier de transistorE-Line
Montage transistorTraversant
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max3V
Dissipation de puissance700mW
Nbre de broches3Broche(s)
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produit-
Qualification-
MSL-
Aperçu du produit
Le ZVN4206AV est un DMOSFET vertical en mode d'amélioration, canal N avec un taux d'avalanche répétitif et aucune protection contre les transitoires nécessaire. Il convient aux drivers de relais automobiles et aux applications de driver de moteur pas à pas.
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
600mA
Type de boîtier de transistor
E-Line
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
700mW
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Tension Drain-Source Vds
60V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
1ohm
Montage transistor
Traversant
Tension de seuil Vgs Max
3V
Nbre de broches
3Broche(s)
Gamme de produit
-
MSL
-
Documents techniques (3)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000166
Traçabilité des produits