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Informations produit
FabricantGENESIC
Réf. FabricantG3R20MT17N
Code Commande3598626
Gamme de produitG3R
Fiche technique
Configuration du module MOSFETSimple
Type de canalCanal N
Courant de drain Id100A
Tension Drain-Source Vds1.7kV
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.02ohm
Type de boîtier de transistorSOT-227
Nbre de broches4Broche(s)
Tension de test Rds(on)15V
Tension de seuil Vgs Max2.7V
Dissipation de puissance523W
Température d'utilisation Max.175°C
Gamme de produitG3R
SVHCNo SVHC (17-Dec-2015)
Spécifications techniques
Configuration du module MOSFET
Simple
Courant de drain Id
100A
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.02ohm
Nbre de broches
4Broche(s)
Tension de seuil Vgs Max
2.7V
Température d'utilisation Max.
175°C
SVHC
No SVHC (17-Dec-2015)
Type de canal
Canal N
Tension Drain-Source Vds
1.7kV
Type de boîtier de transistor
SOT-227
Tension de test Rds(on)
15V
Dissipation de puissance
523W
Gamme de produit
G3R
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :United States
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :United States
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (17-Dec-2015)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.001393