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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantAUIRF7675M2TR
Code Commande2579957RL
Gamme de produitHEXFET
Egalement appeléSP001522164
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Vds max..150V
Courant de drain Id18A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.047ohm
Type de boîtier de transistorDirectFET M2
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max4V
Dissipation de puissance45W
Nombre de broches7Broche(s)
Température de fonctionnement max..175°C
Gamme de produitHEXFET
QualificationAEC-Q101
MSLMSL 1 - Illimité
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
18A
Type de boîtier de transistor
DirectFET M2
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
45W
Température de fonctionnement max..
175°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Tension Vds max..
150V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.047ohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
4V
Nombre de broches
7Broche(s)
Gamme de produit
HEXFET
MSL
MSL 1 - Illimité
Documents techniques (1)
Produits associés
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Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Mexico
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Mexico
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000112
Traçabilité des produits