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AUIRFR6215
MOSFET de puissance, Canal P, 150 V, 13 A, 0.295 ohm, TO-252 (DPAK), Montage en surface
Modèle arrêté
Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantAUIRFR6215
Code Commande3514400
Gamme de produitHexFET
Egalement appeléSP001517590
Fiche technique
Type de canalCanal P
Tension Drain-Source Vds150V
Courant de drain Id13A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.295ohm
Type de boîtier de transistorTO-252 (DPAK)
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max4V
Dissipation de puissance110W
Nbre de broches3Broche(s)
Température d'utilisation Max.175°C
Gamme de produitHexFET
QualificationAEC-Q101
MSLMSL 1 - Illimité
SVHCNo SVHC (27-Jun-2018)
Aperçu du produit
Avertissements
La forte demande du marché pour ce produit, entraîné une augmentation des délais. Les dates de livraison peuvent varier. Produit exempt de remises.
Spécifications techniques
Type de canal
Canal P
Courant de drain Id
13A
Type de boîtier de transistor
TO-252 (DPAK)
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
110W
Température d'utilisation Max.
175°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (27-Jun-2018)
Tension Drain-Source Vds
150V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.295ohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
4V
Nbre de broches
3Broche(s)
Gamme de produit
HexFET
MSL
MSL 1 - Illimité
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Mexico
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Mexico
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2018)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000657