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BSC018NE2LSIATMA1
MOSFET de puissance, Canal N, 25 V, 100 A, 0.0015 ohm, TDSON, Montage en surface
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantBSC018NE2LSIATMA1
Code Commande2781051
Gamme de produitOptiMOS
Egalement appeléBSC018NE2LSI, SP000906030
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Drain-Source Vds25V
Courant de drain Id100A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.0015ohm
Type de boîtier de transistorTDSON
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max2V
Dissipation de puissance69W
Nbre de broches8Broche(s)
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produitOptiMOS
Qualification-
MSLMSL 1 - Illimité
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
100A
Type de boîtier de transistor
TDSON
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
69W
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Tension Drain-Source Vds
25V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.0015ohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
2V
Nbre de broches
8Broche(s)
Gamme de produit
OptiMOS
MSL
MSL 1 - Illimité
Documents techniques (4)
Produits de remplacement pour BSC018NE2LSIATMA1
8 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000013
Traçabilité des produits