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BSC080N12LSGATMA1
MOSFET de puissance, Canal N, 120 V, 99 A, 6500 µohm, TDSON, Montage en surface
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantBSC080N12LSGATMA1
Code Commande3577275
Gamme de produitOptiMOS 2
Egalement appeléBSC080N12LS G, SP002256844
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Drain-Source Vds120V
Courant de drain Id99A
Résistance Drain-Source à l'état-ON6500µohm
Type de boîtier de transistorTDSON
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max1.85V
Dissipation de puissance156W
Nbre de broches8Broche(s)
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produitOptiMOS 2
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produits de remplacement pour BSC080N12LSGATMA1
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Aperçu du produit
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Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
99A
Type de boîtier de transistor
TDSON
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
156W
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
-
Tension Drain-Source Vds
120V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
6500µohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
1.85V
Nbre de broches
8Broche(s)
Gamme de produit
OptiMOS 2
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000209
Traçabilité des produits