Imprimer la page
BSC110N15NS5ATMA1
MOSFET de puissance, Canal N, 150 V, 76 A, 0.011 ohm, TDSON, Montage en surface
24.180 En Stock
Vous en voulez davantage ?
Livraison EXPRESS le jour ouvrable suivant
Commander avant 17:00
Livraison standard GRATUITE
pour les commandes de 0,00 € et plus
Les délais de livraison exacts seront calculés lors du paiement
| Quantité | |
|---|---|
| 100+ | 1,550 € |
| 500+ | 1,270 € |
| 1000+ | 1,140 € |
Prix pour :Pièce (fournie en bande découpée)
Minimum: 100
Multiple: 5
160,00 € (sans TVA)
Des frais de mise en bobine de 5,00 € seront appliqués pour ce produit
Ajouter Référence Interne / Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Ce numéro sera ajouté à la confirmation de commande, à la facture, au bon d’expédition, à l’e-mail de confirmation Web et à l’étiquette.
Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantBSC110N15NS5ATMA1
Code Commande2803377RL
Gamme de produitOptiMOS 5
Egalement appeléBSC110N15NS5, SP001181418
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Drain-Source Vds150V
Courant de drain Id76A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.011ohm
Type de boîtier de transistorTDSON
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max3.8V
Dissipation de puissance125W
Nbre de broches8Broche(s)
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produitOptiMOS 5
Qualification-
MSLMSL 1 - Illimité
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Aperçu du produit
- Transistor de puissance 150V, Optima's™ 5
- Canal N, niveau normal
- Excellente charge de grille x produit RDS (On) (FOM)
- Très faible résistance à l'état passant RDS (on)
- Qualifié conformément à JEDEC pour les applications cibles.
- Idéal pour une commutation haute fréquence et un redressement synchrone
Avertissements
La demande du marché pour ce produit a entraîné une augmentation des délais. Les dates de livraison peuvent fluctuer. Produit exempt de remises.
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
76A
Type de boîtier de transistor
TDSON
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
125W
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Tension Drain-Source Vds
150V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.011ohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
3.8V
Nbre de broches
8Broche(s)
Gamme de produit
OptiMOS 5
MSL
MSL 1 - Illimité
Documents techniques (3)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000324
Traçabilité des produits