Imprimer la page
BSC265N10LSFGATMA1
MOSFET de puissance, Canal N, 100 V, 40 A, 0.0265 ohm, PG-TDSON, Montage en surface
7.286 En Stock
Vous en voulez davantage ?
Livraison EXPRESS le jour ouvrable suivant
Commander avant 17:00
Livraison standard GRATUITE
pour les commandes de 0,00 € et plus
Les délais de livraison exacts seront calculés lors du paiement
| Quantité | |
|---|---|
| 50+ | 0,746 € |
| 250+ | 0,591 € |
| 1000+ | 0,406 € |
| 3000+ | 0,392 € |
Prix pour :Pièce (fournie en bande découpée)
Minimum: 100
Multiple: 5
79,60 € (sans TVA)
Des frais de mise en bobine de 5,00 € seront appliqués pour ce produit
Ajouter Référence Interne / Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Ce numéro sera ajouté à la confirmation de commande, à la facture, au bon d’expédition, à l’e-mail de confirmation Web et à l’étiquette.
Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantBSC265N10LSFGATMA1
Code Commande2617473RL
Gamme de produitOptiMOS 2
Egalement appeléBSC265N10LSF G, SP000379618
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Drain-Source Vds100V
Courant de drain Id40A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.0265ohm
Type de boîtier de transistorPG-TDSON
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max1.85V
Dissipation de puissance78W
Nbre de broches8Broche(s)
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produitOptiMOS 2
Qualification-
Aperçu du produit
- Transistor de puissance Optima™ 3 250V idéal pour une commutation haute fréquence et un redressement synchrone
- Niveau logique canal N
- Très faible charge de grille x produit RDS (On) (FOM)
- Faible résistance RDS(on)
- Qualifié conformément à JEDEC pour les applications cibles.
Avertissements
La demande du marché pour ce produit a entraîné une augmentation des délais. Les dates de livraison peuvent fluctuer. Produit exempt de remises.
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
40A
Type de boîtier de transistor
PG-TDSON
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
78W
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Tension Drain-Source Vds
100V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.0265ohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
1.85V
Nbre de broches
8Broche(s)
Gamme de produit
OptiMOS 2
MSL
MSL 1 - Illimité
Documents techniques (1)
Produits de remplacement pour BSC265N10LSFGATMA1
1 produit trouvé
Produits associés
3 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000151
Traçabilité des produits