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BSM25GD120DN2BOSA1
Module IGBT, Pont complet triphasé, 35 A, 3 V, 200 W, 125 °C, EconoPACK
Ces images sont uniquement fournies à titre d'illustration. Veuillez consulter la description du produit.
FabricantINFINEON
Réf. FabricantBSM25GD120DN2BOSA1
Code Commande1496948
Gamme de produitCompute Module 3+ Series
Egalement appeléBSM25GD120DN2, SP000100370
Fiche technique
Modèle arrêté
Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantBSM25GD120DN2BOSA1
Code Commande1496948
Gamme de produitCompute Module 3+ Series
Egalement appeléBSM25GD120DN2, SP000100370
Fiche technique
Configuration IGBTPont complet triphasé
Polarité transistorCanal N
Courant de collecteur DC35A
Courant Collecteur Continu35A
Tension de saturation Emetteur Collecteur3V
Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on)3V
Dissipation de puissance Pd200W
Dissipation de puissance200W
Température de jonction Tj Max.125°C
Température d'utilisation Max.125°C
Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo1.2kV
Type de boîtier de transistorEconoPACK
Borne IGBTGoujon
Nbre de broches17Broche(s)
Tension Collecteur Emetteur Max1.2kV
Technologie IGBT-
Montage transistorPanneau
Gamme de produitCompute Module 3+ Series
SVHCNo SVHC (17-Jan-2023)
Aperçu du produit
Le BSM25GD120DN2 est un module IGBT de puissance avec des diodes de roue libre rapides et une base métallique isolée.
- Pont complet triphasé
- Temps de montée 130ns
- Temps de descente 100ns
- Tension Vge (Gate-Emitter) ±20V
Avertissements
La forte demande du marché pour ce produit, entraîné une augmentation des délais. Les dates de livraison peuvent varier. Produit exempt de remises.
Spécifications techniques
Configuration IGBT
Pont complet triphasé
Courant de collecteur DC
35A
Tension de saturation Emetteur Collecteur
3V
Dissipation de puissance Pd
200W
Température de jonction Tj Max.
125°C
Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo
1.2kV
Borne IGBT
Goujon
Tension Collecteur Emetteur Max
1.2kV
Montage transistor
Panneau
SVHC
No SVHC (17-Jan-2023)
Polarité transistor
Canal N
Courant Collecteur Continu
35A
Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on)
3V
Dissipation de puissance
200W
Température d'utilisation Max.
125°C
Type de boîtier de transistor
EconoPACK
Nbre de broches
17Broche(s)
Technologie IGBT
-
Gamme de produit
Compute Module 3+ Series
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Germany
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Germany
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (17-Jan-2023)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.18
Traçabilité des produits