Imprimer la page
BSO604NS2XUMA1
MOSFET double, Canal N, 55 V, 55 V, 5 A, 5 A, 0.031 ohm
Ces images sont uniquement fournies à titre d'illustration. Veuillez consulter la description du produit.
FabricantINFINEON
Réf. FabricantBSO604NS2XUMA1
Code Commande2725821
Gamme de produitOptiMOS Series
Egalement appeléBSO604NS2, SP000396268
Fiche technique
739 En Stock
Vous en voulez davantage ?
Livraison sous 1 à 2 jours ouvrables
Commandez avant 17h00 pour bénéficier de l’expédition standard
Disponible jusqu à épuisement du stock
| Quantité | |
|---|---|
| 1+ | 2,280 € |
| 10+ | 1,620 € |
| 100+ | 1,230 € |
| 500+ | 0,956 € |
| 1000+ | 0,861 € |
Prix pour :Pièce (fournie en bande découpée)
Minimum: 1
Multiple: 1
2,28 € (sans TVA)
Ajouter Référence Interne / Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Ce numéro sera ajouté à la confirmation de commande, à la facture, au bon d’expédition, à l’e-mail de confirmation Web et à l’étiquette.
Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantBSO604NS2XUMA1
Code Commande2725821
Gamme de produitOptiMOS Series
Egalement appeléBSO604NS2, SP000396268
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Drain Source Vds, Canal N55V
Tension drain source Vds, Canal P55V
Courant de drain continu Id, Canal N5A
Courant de drain continu Id, Canal P5A
Résistance Etat ON Drain Source, Canal N0.031ohm
Résistance Etat ON Drain Source, Canal P0.031ohm
Type de boîtier de transistorSOIC
Nombre de broches8Broche(s)
Dissipation de puissance Canal P2W
Dissipation de puissance, Canal P2W
Température de fonctionnement max..150°C
Gamme de produitOptiMOS Series
QualificationAEC-Q101
Aperçu du produit
- Transistor de puissance OptiMOS® -2
- Double canal N
- Mode d'enrichissement
- Niveau logique
- Température de fonctionnement 150°C
- Avalanche évalué
- dv/dt évalué
- Qualifié AEC
Avertissements
La demande du marché pour ce produit a entraîné une augmentation des délais. Les dates de livraison peuvent fluctuer. Produit exempt de remises.
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Tension drain source Vds, Canal P
55V
Courant de drain continu Id, Canal P
5A
Résistance Etat ON Drain Source, Canal P
0.031ohm
Nombre de broches
8Broche(s)
Dissipation de puissance, Canal P
2W
Gamme de produit
OptiMOS Series
Tension Drain Source Vds, Canal N
55V
Courant de drain continu Id, Canal N
5A
Résistance Etat ON Drain Source, Canal N
0.031ohm
Type de boîtier de transistor
SOIC
Dissipation de puissance Canal P
2W
Température de fonctionnement max..
150°C
Qualification
AEC-Q101
Documents techniques (3)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000265