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BSS214NWH6327XTSA1
MOSFET de puissance, Canal N, 20 V, 1.5 A, 0.14 ohm, SOT-323, Montage en surface
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantBSS214NWH6327XTSA1
Code Commande2709852
Gamme de produitOptiMOS 2
Egalement appeléBSS214NW H6327, SP000917560
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Drain-Source Vds20V
Courant de drain Id1.5A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.14ohm
Type de boîtier de transistorSOT-323
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)4.5V
Tension de seuil Vgs Max950mV
Dissipation de puissance500mW
Nbre de broches3Broche(s)
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produitOptiMOS 2
QualificationAEC-Q101
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Aperçu du produit
- Transistor de signal OptiMOS™2, Canal N
- Mode d'enrichissement
- Niveau super logique (évalué à 2,5 V)
- Avalanche évalué
- Qualifié selon la norme AEC Q101
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
1.5A
Type de boîtier de transistor
SOT-323
Tension de test Rds(on)
4.5V
Dissipation de puissance
500mW
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Tension Drain-Source Vds
20V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.14ohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
950mV
Nbre de broches
3Broche(s)
Gamme de produit
OptiMOS 2
MSL
-
Documents techniques (3)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000033