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BSZ042N06NSATMA1
MOSFET de puissance, Canal N, 60 V, 40 A, 4200 µohm, TSDSON, Montage en surface
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantBSZ042N06NSATMA1
Code Commande2443426RL
Egalement appeléBSZ042N06NS, SP000917418
Fiche technique
134.698 En Stock
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| Quantité | |
|---|---|
| 100+ | 0,554 € |
| 500+ | 0,487 € |
| 1000+ | 0,459 € |
| 5000+ | 0,426 € |
Prix pour :Pièce (fournie en bande découpée)
Minimum: 100
Multiple: 1
60,40 € (sans TVA)
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantBSZ042N06NSATMA1
Code Commande2443426RL
Egalement appeléBSZ042N06NS, SP000917418
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Drain-Source Vds60V
Courant de drain Id40A
Résistance Drain-Source à l'état-ON4200µohm
Type de boîtier de transistorTSDSON
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max2.8V
Dissipation de puissance69W
Nbre de broches8Broche(s)
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produit-
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Aperçu du produit
The BSZ042N06NS is an OptiMOS™ N-channel Power MOSFET optimized for synchronous rectification in switched mode power supplies (SMPS). In addition these devices are a perfect choice for a broad range of industrial applications including solar micro inverter and fast switching DC-to-DC converter.
- Highest system efficiency
- Less paralleling required
- Increased power density
- Very low voltage overshoot
- MSL1 rated
- 40% lower RDS (ON) than alternative devices
- 40% Improvement of FOM over similar devices
- 100% Avalanche tested
- Superior thermal resistance
- Qualified according to JEDEC for target applications
- Halogen-free, Green device
- Higher solder joint reliability due to enlarged source interconnection
Avertissements
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
40A
Type de boîtier de transistor
TSDSON
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
69W
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Tension Drain-Source Vds
60V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
4200µohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
2.8V
Nbre de broches
8Broche(s)
Gamme de produit
-
MSL
MSL 1 - Illimité
Documents techniques (1)
Produits de remplacement pour BSZ042N06NSATMA1
2 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
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Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.0003