CY62126EV30LL-45ZSXIT

La CY62126EV30LL-45ZSXIT est une RAM statique CMOS haute performance organisée en 64K mots par 16 bits. Ce composant présente une conception de circuit avancée pour fournir un courant actif ultra faible. Ceci est idéal pour fournir More Battery Life™ (MoBL®) dans les applications portables telles que les téléphones cellulaires. Le composant dispose également d'une fonction de mise hors tension automatique qui réduit considérablement la consommation d'énergie lorsque les adresses ne basculent pas. Mettre le circuit en mode veille réduit la consommation électrique de plus de 99% lorsqu'il est désélectionné (CE HIGH actif à l'état bas). Les broches d'entrée et de sortie (I/O0 à I/O15) sont placées dans un état d'impédance élevée lorsque le périphérique est désélectionné (actif-bas CE HIGH), les sorties sont désactivées (actif-bas OE HIGH), l'activation de l'octet haut et l'activation de l'octet bas sont désactivées (actif-bas BHE, actif-bas BLE HIGH) ou pendant une opération d'écriture (actif-bas CE LOW et actif-bas WE LOW).

• Vitesse élevée: 45ns
• Large plage de tension de 2,2V à 3,6V
• Brochage compatible avec les CY62126DV30
• Courant de veille maximum de 4µA
• Courant actif de 1,3mA typique à f = 1MHz
• Extension de mémoire facile avec les fonctionnalités CE active-bas et OE active-bas
• Mise hors tension automatique en cas de désélection,
• Semi-conducteur à oxyde métallique complémentaire (CMOS) pour une vitesse et une puissance optimales
• Boîtier TSOP II, 44 broches
• Plage de température industrielle de -40°C à +85°C

Avertissements

La forte demande du marché pour ce produit, entraîné une augmentation des délais. Les dates de livraison peuvent varier. Produit exempt de remises.