CY62167EV30LL-45BVXIT

La CY62167EV30LL-45BVXIT est une RAM statique CMOS hautes performances organisée en mots de 1M par 16 bits/ mots 2M par 8 bits. Il dispose d'une conception de circuit avancée qui fournit un courant actif ultra faible. Courant actif ultra faible parfait pour fournir More Battery Life™ (MoBL®) dans les applications portables telles que les téléphones portables. Il dispose également d'une fonction de mise hors tension automatique qui réduit la consommation d'énergie de 99% lorsque les adresses ne basculent pas. Placez le composant en mode veille lorsqu'il est désélectionné (actif-bas CE1 HIGH ou actif-bas CE2 LOW ou les deux actifs-bas BHE et actifs-bas BLE sont HAUT). Les broches d'entrée ou de sortie (I/O0 à I/O15) sont placées dans un état haute impédance lorsque l'appareil est désélectionné (actif-bas CE1 HAUT ou CE2 BAS), les sorties sont désactivées (actif-bas OE HAUT), octet l'activation haute et l'activation d'octet bas sont désactivées (BHE actif-bas, BLE HAUT actif-bas), ou une opération d'écriture est active (CE1 BAS actif-bas, CE2 HAUT et WE BAS actif-bas).

• Très grande vitesse: 45ns
• Plage de tension d'utilisation de 2,20V à 3,60V
• Courant de veille maximum de 12µA
• Courant actif de 2,2mA typique à f = 1MHz
• Extension de mémoire facile avec les fonctionnalités actif-bas CE1, actif-bas CE2 et actif-bas OE
• Mise hors tension automatique en cas de désélection,
• CMOS pour une vitesse et une puissance optimales
• Le VCC pour la conservation des données est de 1,5V
• Boîtiers VFBGA 48 billes
• Plage de température automobile de -40°C à +85°C