CY7C1021DV33-10VXI

CY7C1021DV33-10VXI est une RAM statique CMOS haute performance CY7C1021DV33 organisée en 65536 mots par 16 bits. Ce composant dispose d'une fonction de mise hors tension automatique qui réduit considérablement la consommation d'énergie lorsqu'il est désélectionné. L'écriture sur le périphérique s'effectue en prenant les entrées d'activation Chip-Enable (CE) et d'activation d'écriture Write Enable (WE) BAS. Si Byte Low Enable (BLE) est à l'état bas, les données des broches d'E/S (E/S0 à E/S7) sont écrites à l'emplacement spécifié sur les broches d'adresse (A0 à A15). Si Byte High Enable (BHE) est à l'état bas, les données des broches d'E/S (E/S8 à E/S15) sont écrites à l'emplacement spécifié sur les broches d'adresse (A0 à A15).

• Brochage et fonctions compatibles avec les CY7C1021CV33
• Vitesse élevée, tAA = 10ns
• Faible puissance active ICC = 60mA à 10ns
• Faible puissance active ICC = 60mA à 10ns
• Conservation des données à 2,0V
• Mise hors tension automatique en cas de désélection,
• CMOS pour une vitesse/puissance optimale, contrôle indépendant des bits supérieurs et inférieurs
• Boîtier SOJ moulé, 44 broches (400 mil)
• Plage de température industrielle de -40°C à +85°C