Imprimer la page
F3L75R07W2E3B11BOMA1
Module IGBT, EasyPACK 2B, Onduleur à trois niveaux, 75 A, 1.45 V, 250 W, 150 °C, Module
Ces images sont uniquement fournies à titre d'illustration. Veuillez consulter la description du produit.
FabricantINFINEON
Réf. FabricantF3L75R07W2E3B11BOMA1
Code Commande2709963
Egalement appeléF3L75R07W2E3_B11, SP000638558
Fiche technique
15 En Stock
Vous en voulez davantage ?
Livraison EXPRESS le jour ouvrable suivant
Commander avant 17:00
Livraison standard GRATUITE
pour les commandes de 0,00 € et plus
Les délais de livraison exacts seront calculés lors du paiement
Disponible jusqu à épuisement du stock
| Quantité | |
|---|---|
| 1+ | 34,030 € |
| 5+ | 29,710 € |
| 10+ | 25,380 € |
Prix pour :Pièce
Minimum: 1
Multiple: 1
34,03 € (sans TVA)
Ajouter Référence Interne / Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Ce numéro sera ajouté à la confirmation de commande, à la facture, au bon d’expédition, à l’e-mail de confirmation Web et à l’étiquette.
Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantF3L75R07W2E3B11BOMA1
Code Commande2709963
Egalement appeléF3L75R07W2E3_B11, SP000638558
Fiche technique
Polarité transistorCanal N
Configuration IGBTOnduleur à trois niveaux
Courant de collecteur DC75A
Courant Collecteur Continu75A
Tension de saturation Emetteur Collecteur1.45V
Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on)1.45V
Dissipation de puissance Pd250W
Dissipation de puissance250W
Température d'utilisation Max.150°C
Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo650V
Température de jonction Tj Max.150°C
Type de boîtier de transistorModule
Borne IGBTMontage à la presse
Tension Collecteur Emetteur Max650V
Technologie IGBTIGBT 3 [Trench/Field Stop]
Montage transistorPanneau
Gamme de produit-
Spécifications techniques
Polarité transistor
Canal N
Courant de collecteur DC
75A
Tension de saturation Emetteur Collecteur
1.45V
Dissipation de puissance Pd
250W
Température d'utilisation Max.
150°C
Température de jonction Tj Max.
150°C
Borne IGBT
Montage à la presse
Technologie IGBT
IGBT 3 [Trench/Field Stop]
Gamme de produit
-
Configuration IGBT
Onduleur à trois niveaux
Courant Collecteur Continu
75A
Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on)
1.45V
Dissipation de puissance
250W
Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo
650V
Type de boîtier de transistor
Module
Tension Collecteur Emetteur Max
650V
Montage transistor
Panneau
SVHC
No SVHC (23-Jan-2024)
Documents techniques (3)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Germany
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Germany
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (23-Jan-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.00443
Traçabilité des produits