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FF2000UXTR33T2M1BPSA1
MOSFET en carbure de silicium, Demi-pont, Canal double N, 925 A, 3.3 kV, 0.0024 ohm, Module
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantFF2000UXTR33T2M1BPSA1
Code Commande4574878
Gamme de produitXHP 2 Series
Egalement appeléFF2000UXTR33T2M1, SP005400736
Fiche technique
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantFF2000UXTR33T2M1BPSA1
Code Commande4574878
Gamme de produitXHP 2 Series
Egalement appeléFF2000UXTR33T2M1, SP005400736
Fiche technique
Configuration du module MOSFETDemi-pont
Type de canalCanal double N
Courant de drain Id925A
Tension Vds max..3.3kV
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.0024ohm
Type de boîtier de transistorModule
Nombre de broches15Broche(s)
Tension de test Rds(on)15V
Tension de seuil Vgs Max5.55V
Dissipation de puissance20mW
Température de fonctionnement max..175°C
Gamme de produitXHP 2 Series
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Configuration du module MOSFET
Demi-pont
Courant de drain Id
925A
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.0024ohm
Nombre de broches
15Broche(s)
Tension de seuil Vgs Max
5.55V
Température de fonctionnement max..
175°C
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Type de canal
Canal double N
Tension Vds max..
3.3kV
Type de boîtier de transistor
Module
Tension de test Rds(on)
15V
Dissipation de puissance
20mW
Gamme de produit
XHP 2 Series
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Germany
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Germany
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:3A228.c
EU ECCN:3A228.c
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:À déterminer
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000001
Traçabilité des produits