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FF2600UXTR33T2M1BPSA1
MOSFET en carbure de silicium, Demi-pont, Canal double N, 720 A, 3.3 kV, 0.0031 ohm, Module
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantFF2600UXTR33T2M1BPSA1
Code Commande4574879
Gamme de produitXHP 2 Series
Egalement appeléFF2600UXTR33T2M1, SP005404848
Fiche technique
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantFF2600UXTR33T2M1BPSA1
Code Commande4574879
Gamme de produitXHP 2 Series
Egalement appeléFF2600UXTR33T2M1, SP005404848
Fiche technique
Configuration du module MOSFETDemi-pont
Type de canalCanal double N
Courant de drain Id720A
Tension Vds max..3.3kV
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.0031ohm
Type de boîtier de transistorModule
Nombre de broches15Broche(s)
Tension de test Rds(on)15V
Tension de seuil Vgs Max5.55V
Dissipation de puissance20mW
Température de fonctionnement max..175°C
Gamme de produitXHP 2 Series
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Aperçu du produit
FF2600UXTR33T2M1BPSA1 is a 3.3KV, XHP™ 2 CoolSiC™ MOSFET half bridge module. Suitable for traction drives, high-power converters, high-frequency switching application applications.
- Electrical features: VDSS = 3300V, IDN = 750A / IDRM = 1500A, Tvj,op = 175°C
- Low switching losses, high current density, low inductive design
- Mechanical features: high power density, high creepage and clearance distances
- Package with CTI > 600, Rds(on) Test Voltage 15V
- AlSiC base plate for increased thermal cycling capability
- AlN substrate with low thermal resistance
- 3.1mohm drain-source on-resistance at ID = 750A, VGS = 15V, Tvj = 25°C
- 720A Continuous DC drain current at Tvj = 175°C, VGS = 15V, TC = 25°C
- 5.55V gate threshold voltage at ID = 675mA, VDS = VGS, Tvj = 25°C, (after 1ms pulse at VGS = +20V)
- 20mW max power dissipation at TNTC = 25°C
Spécifications techniques
Configuration du module MOSFET
Demi-pont
Courant de drain Id
720A
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.0031ohm
Nombre de broches
15Broche(s)
Tension de seuil Vgs Max
5.55V
Température de fonctionnement max..
175°C
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Type de canal
Canal double N
Tension Vds max..
3.3kV
Type de boîtier de transistor
Module
Tension de test Rds(on)
15V
Dissipation de puissance
20mW
Gamme de produit
XHP 2 Series
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Germany
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Germany
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:3A228.c
EU ECCN:3A228.c
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000001
Traçabilité des produits