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FF650R17IE4DB2BOSA1
Module IGBT, Double, 930 A, 2 V, 4.15 kW, 150 °C, Module
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantFF650R17IE4DB2BOSA1
Code Commande1833598
Gamme de produitPrimePACK 2 Series
Egalement appeléFF650R17IE4D_B2, SP000621228
Fiche technique
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 16 semaine(s)
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| Quantité | |
|---|---|
| 1+ | 449,670 € |
Prix pour :Pièce
Minimum: 1
Multiple: 1
449,67 € (sans TVA)
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantFF650R17IE4DB2BOSA1
Code Commande1833598
Gamme de produitPrimePACK 2 Series
Egalement appeléFF650R17IE4D_B2, SP000621228
Fiche technique
Polarité transistorCanal N
Configuration IGBTDouble
Courant de collecteur DC650A
Courant Collecteur Continu930A
Tension de saturation Emetteur Collecteur2V
Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on)2V
Dissipation de puissance Pd4.15kW
Dissipation de puissance4.15kW
Température de jonction Tj Max.150°C
Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo1.7kV
Température d'utilisation Max.150°C
Type de boîtier de transistorModule
Nbre de broches10Broche(s)
Borne IGBTLanguette
Tension Collecteur Emetteur Max1.7kV
Technologie IGBTIGBT 4
Montage transistorPanneau
Gamme de produitPrimePACK 2 Series
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Aperçu du produit
FF650R17IE4DB2BOSA1 is a Prime PACK™2 module and NTC. Applications include 3-level-applications, auxiliary inverters, high power converters, motor drives, traction drives, wind turbines.
- Extended operation temperature Tvj op, high DC stability
- High current density, low switching losses
- Enlarged diode for regenerative operation, low VCEsat
- High creepage and clearance distances
- High power and thermal cycling capability
- High power density, copper base plate
- 930A continuous DC collector current (TC = 25°C, Tvj max = 175°C)
- 5.8V typical gate threshold voltage (IC = 24,0mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C)
- 2.3ohm typical internal gate resistor (Tvj = 25°C)
- Temperature range from -40 to +150°C (under switching conditions)
Spécifications techniques
Polarité transistor
Canal N
Courant de collecteur DC
650A
Tension de saturation Emetteur Collecteur
2V
Dissipation de puissance Pd
4.15kW
Température de jonction Tj Max.
150°C
Température d'utilisation Max.
150°C
Nbre de broches
10Broche(s)
Tension Collecteur Emetteur Max
1.7kV
Montage transistor
Panneau
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Configuration IGBT
Double
Courant Collecteur Continu
930A
Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on)
2V
Dissipation de puissance
4.15kW
Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo
1.7kV
Type de boîtier de transistor
Module
Borne IGBT
Languette
Technologie IGBT
IGBT 4
Gamme de produit
PrimePACK 2 Series
Documents techniques (2)
Produits associés
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Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Germany
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Germany
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.825
Traçabilité des produits