FM24CL16B-DG

La FM24CL16B-DG est une mémoire non volatile de 16Kbit dans un boîtier DFN-EP, 8 broches. La F-RAM est non volatile et effectue des lectures et des écritures similaires à la RAM. Elle assure une rétention de données fiable pour 151 ans tout en éliminant les complexités et les problèmes de fiabilité au niveau du système causés par les EEPROM ou d'autres mémoires non volatiles. Contrairement à une EEPROM, les FM24CL16B effectuent les opérations d'écriture à la vitesse du bus. Aucun retard d'écriture ne sont engagés. Les données sont écrites sur une matrice mémoire immédiatement après le transfert réussi de chaque octet vers le composant Le cycle de bus suivant peut commencer sans avoir besoin d'interroger les données. De plus, le produit offre une endurance d'écriture substantielle par rapport aux autres mémoires non volatiles. De plus, la F-RAM présente une puissance bien inférieure lors des écritures que l'EEPROM puisque les opérations d'écriture ne nécessitent pas de tension d'alimentation interne élevée pour les circuits d'écriture. La FM24CL16B est capable de prendre en charge 10^14 cycles de lecture/écriture, soit 100 millions de fois plus de cycles d'écriture qu'une EEPROM.

• Mémoire vive ferroélectrique (F-RAM) de 4 Mbits organisée logiquement en 2K × 8
• Processus ferroélectrique avancée haute fiabilité
• Interface série rapide, 2 fils (I2C)
• Faible consommation d'énergie de 100µA, courant actif 100KHz, 3µA (typ) de courant de veille
• Fonctionnement basse tension: VDD = 2.7V à 3.65V
• Température industrielle de -40°C à +85°C