FM25L04B-DG

La FM25L04B-DG est une F-RAM série (SPI) 4Kbit dans un boîtier DFN-EP, 8 broches. Il s'agit d'une mémoire non volatile de 4Kbit qui utilise un procédé ferroélectrique avancé. La F-RAM est non volatile et effectue des lectures et des écritures similaires à la RAM. Elle assure une rétention de données fiable pendant 151 ans tout en éliminant les complexités et les problèmes de fiabilité au niveau du système causés par les Flash série, EEPROM ou d'autres mémoires non volatiles. Contrairement à la mémoire flash série et EEPROM, le FM25L04B effectue des opérations d'écriture à la vitesse du bus. Aucun retard d'écriture ne sont engagés. Les données sont écrites sur une matrice mémoire immédiatement après le transfert réussi de chaque octet vers le composant Le cycle de bus suivant peut commencer sans avoir besoin d'interroger les données. De plus, le produit offre une endurance d'écriture substantielle par rapport aux autres mémoires non volatiles. La FM25L04B est capable de prendre en charge 10^14 cycles de lecture/écriture, soit 100 millions de fois plus de cycles d'écriture qu'une EEPROM.

• Mémoire vive ferroélectrique (F-RAM) de 4 Mbits organisée logiquement en 512 × 8
• Interface Série très rapide (SPI)
• Remplacement direct pour les mémoire Flash série et EEPROM
• Faible consommation d'énergie de 200µA, courant actif 1MHz, 3µA (typ) de courant de veille
• Fonctionnement basse tension VDD = 2,7V à 3,6V
• Température industrielle de -40°C à +85°C