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FP100R12KT4BOSA1
Module IGBT, Redresseur d'entrée triphasé PIM, 100 A, 1.75 V, 515 W, 150 °C, Module
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantFP100R12KT4BOSA1
Code Commande2726155
Gamme de produitEconoPIM 3
Egalement appeléFP100R12KT4, SP000355578
Fiche technique
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantFP100R12KT4BOSA1
Code Commande2726155
Gamme de produitEconoPIM 3
Egalement appeléFP100R12KT4, SP000355578
Fiche technique
Configuration IGBTRedresseur d'entrée triphasé PIM
Polarité transistorCanal N
Courant de collecteur DC100A
Courant Collecteur Continu100A
Tension de saturation Emetteur Collecteur1.75V
Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on)1.75V
Dissipation de puissance Pd515W
Dissipation de puissance515W
Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo1.2kV
Température de jonction Tj Max.150°C
Température d'utilisation Max.150°C
Type de boîtier de transistorModule
Borne IGBTMontage à la presse
Tension Collecteur Emetteur Max1.2kV
Technologie IGBTIGBT 4 [Trench/Field Stop]
Montage transistorPanneau
Gamme de produitEconoPIM 3
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Aperçu du produit
Pour un meilleur contrôle moteur: Nouveaux modules EconoPIM™ 3, une solution entièrement intégrée dans un ensemble avec la technologie Trenchstop™ IGBT 4. La série EconoPIM 3 combine un pont redresseur, un hacheur de freinage, un étage onduleur et un convertisseur CTN dans un seul ensemble pour permettre des économies de système.
Avertissements
La forte demande du marché pour ce produit, entraîné une augmentation des délais. Les dates de livraison peuvent varier. Produit exempt de remises.
Spécifications techniques
Configuration IGBT
Redresseur d'entrée triphasé PIM
Courant de collecteur DC
100A
Tension de saturation Emetteur Collecteur
1.75V
Dissipation de puissance Pd
515W
Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo
1.2kV
Température d'utilisation Max.
150°C
Borne IGBT
Montage à la presse
Technologie IGBT
IGBT 4 [Trench/Field Stop]
Gamme de produit
EconoPIM 3
Polarité transistor
Canal N
Courant Collecteur Continu
100A
Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on)
1.75V
Dissipation de puissance
515W
Température de jonction Tj Max.
150°C
Type de boîtier de transistor
Module
Tension Collecteur Emetteur Max
1.2kV
Montage transistor
Panneau
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Hungary
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Hungary
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
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Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.322958
Traçabilité des produits