Imprimer la page
FP50R12KE3BOSA1
Module & réseau transistor IGBT, Canal N, 75A, 1,7V, 280W, 1,2kV, Module
Ces images sont uniquement fournies à titre d'illustration. Veuillez consulter la description du produit.
FabricantINFINEON
Réf. FabricantFP50R12KE3BOSA1
Code Commande2726169
Gamme de produitEconoPIM 3
Egalement appeléFP50R12KE3, SP000101740
Fiche technique
13 En Stock
Vous en voulez davantage ?
Livraison EXPRESS le jour ouvrable suivant
Commander avant 17:00
Livraison standard GRATUITE
pour les commandes de 0,00 € et plus
Les délais de livraison exacts seront calculés lors du paiement
| Quantité | |
|---|---|
| 1+ | 121,060 € |
| 5+ | 111,160 € |
| 10+ | 101,260 € |
Prix pour :Pièce
Minimum: 1
Multiple: 1
121,06 € (sans TVA)
Ajouter Référence Interne / Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Ce numéro sera ajouté à la confirmation de commande, à la facture, au bon d’expédition, à l’e-mail de confirmation Web et à l’étiquette.
Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantFP50R12KE3BOSA1
Code Commande2726169
Gamme de produitEconoPIM 3
Egalement appeléFP50R12KE3, SP000101740
Fiche technique
Configuration IGBTRedresseur d'entrée triphasé PIM
Polarité transistorCanal N
Courant de collecteur DC75A
Courant Collecteur Continu75A
Tension de saturation Emetteur Collecteur1.7V
Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on)1.7V
Dissipation de puissance Pd280W
Dissipation de puissance280W
Température d'utilisation Max.125°C
Température de jonction Tj Max.125°C
Type de boîtier de transistorModule
Borne IGBTMontage à la presse
Tension Collecteur Emetteur Max1.2kV
Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo1.2kV
Technologie IGBTIGBT 3 [Trench/Field Stop]
Montage transistorPanneau
Gamme de produitEconoPIM 3
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Aperçu du produit
1200V, 50A PIM three phase input rectifier IGBT module with low sat & fast TRENCHSTOP™ IGBT3 and NTC.
- Low stray inductance module design
- High reliability and power density
- Copper base plate for optimized heat spread
- Solderable pins
- Low switching losses
- High switching frequency
- Compact module concept
- Optimized customer’s development cycle time and cost
- Configuration flexibility
- Fast, reliable and low cost mounting concept
Avertissements
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Spécifications techniques
Configuration IGBT
Redresseur d'entrée triphasé PIM
Courant de collecteur DC
75A
Tension de saturation Emetteur Collecteur
1.7V
Dissipation de puissance Pd
280W
Température d'utilisation Max.
125°C
Type de boîtier de transistor
Module
Tension Collecteur Emetteur Max
1.2kV
Technologie IGBT
IGBT 3 [Trench/Field Stop]
Gamme de produit
EconoPIM 3
Polarité transistor
Canal N
Courant Collecteur Continu
75A
Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on)
1.7V
Dissipation de puissance
280W
Température de jonction Tj Max.
125°C
Borne IGBT
Montage à la presse
Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo
1.2kV
Montage transistor
Panneau
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Hungary
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Hungary
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000306
Traçabilité des produits