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IAUC100N04S6L020ATMA1
MOSFET de puissance, Canal N, 40 V, 100 A, 0.00166 ohm, TDSON, Montage en surface
14.725 En Stock
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| Quantité | |
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| 10+ | 0,782 € |
| 100+ | 0,623 € |
| 500+ | 0,473 € |
| 1000+ | 0,409 € |
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIAUC100N04S6L020ATMA1
Code Commande3407333
Gamme de produitOptiMOS 6
Egalement appeléIAUC100N04S6L020, SP001790494
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Drain-Source Vds40V
Courant de drain Id100A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.00166ohm
Type de boîtier de transistorTDSON
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max1.6V
Dissipation de puissance75W
Nbre de broches8Broche(s)
Température d'utilisation Max.175°C
Gamme de produitOptiMOS 6
QualificationAEC-Q101
MSLMSL 1 - Illimité
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Aperçu du produit
Avertissements
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Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
100A
Type de boîtier de transistor
TDSON
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
75W
Température d'utilisation Max.
175°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Tension Drain-Source Vds
40V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.00166ohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
1.6V
Nbre de broches
8Broche(s)
Gamme de produit
OptiMOS 6
MSL
MSL 1 - Illimité
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.0001
Traçabilité des produits