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IAUC120N04S6N009ATMA1
MOSFET de puissance, Canal N, 40 V, 120 A, 750 µohm, TDSON, Montage en surface
26.365 En Stock
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| Quantité | |
|---|---|
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| 500+ | 0,903 € |
| 1000+ | 0,849 € |
Prix pour :Pièce (fournie en bande découpée)
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIAUC120N04S6N009ATMA1
Code Commande3267762RL
Gamme de produitOptiMOS-6
Egalement appeléIAUC120N04S6N009, SP001688678
Fiche technique
Type de canalCanal N
Polarité transistorCanal N
Tension Drain-Source Vds40V
Courant de drain Id120A
Résistance Drain-Source à l'état-ON750µohm
Résistance Rds(on)750µohm
Type de boîtier de transistorTDSON
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max2.8V
Dissipation de puissance Pd150W
Dissipation de puissance150W
Nbre de broches8Broche(s)
Température d'utilisation Max.175°C
Gamme de produitOptiMOS-6
QualificationAEC-Q101
Normes Qualification AutomobileAEC-Q101
MSLMSL 1 - Illimité
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Aperçu du produit
L'IAUC120N04S6N009ATMA1 est un transistor de puissance OptiMOS™-6.
- MOSFET de puissance OptiMOS™ pour les applications automobiles
- Mode d'amélioration, canal N, niveau normal
- Qualification AEC Q101
- Température d'utilisation 175°C
- Testé à 100% contre les avalanches
- Boîtier PG-TDSON-8
- Tension de claquage drain-source de 40V à GS=0V, I D= 1mA
- Résistance à l'état passant drain-source de 0,95 mohm typ. à V GS = 7V, I D = 60A.
- Courant de drain continu de 120A à Tc = 25°C, VGS = 10V.
- Plage de température d'utilisation et de stockage de -55 à +175°C
Avertissements
La forte demande du marché pour ce produit, entraîné une augmentation des délais. Les dates de livraison peuvent varier. Produit exempt de remises.
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Tension Drain-Source Vds
40V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
750µohm
Type de boîtier de transistor
TDSON
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance Pd
150W
Nbre de broches
8Broche(s)
Gamme de produit
OptiMOS-6
Normes Qualification Automobile
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Polarité transistor
Canal N
Courant de drain Id
120A
Résistance Rds(on)
750µohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
2.8V
Dissipation de puissance
150W
Température d'utilisation Max.
175°C
Qualification
AEC-Q101
MSL
MSL 1 - Illimité
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
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Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.0001