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IDM08G120C5XTMA1
Diode Schottky carbure de silicium, thinQ 5G 1200V, Une, 1.2 kV, 27 A, 28 nC, TO-252 (DPAK)
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantIDM08G120C5XTMA1
Code Commande2780806
Gamme de produitthinQ 5G 1200V
Egalement appeléIDM08G120C5, SP001162122
Fiche technique
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| Quantité | |
|---|---|
| 1+ | 3,110 € |
| 10+ | 2,140 € |
| 100+ | 1,630 € |
| 500+ | 1,440 € |
| 1000+ | 1,400 € |
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIDM08G120C5XTMA1
Code Commande2780806
Gamme de produitthinQ 5G 1200V
Egalement appeléIDM08G120C5, SP001162122
Fiche technique
Gamme de produitthinQ 5G 1200V
Configuration diodeUne
Tension inverse crête répétitive1.2kV
Courant direct moyen27A
Charge Capacitive Totale28nC
Type de boîtier de diodeTO-252 (DPAK)
Nbre de broches2 broches
Température d'utilisation Max.175°C
Type de montage de diodeMontage en surface
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Gamme de produit
thinQ 5G 1200V
Tension inverse crête répétitive
1.2kV
Charge Capacitive Totale
28nC
Nbre de broches
2 broches
Type de montage de diode
Montage en surface
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Configuration diode
Une
Courant direct moyen
27A
Type de boîtier de diode
TO-252 (DPAK)
Température d'utilisation Max.
175°C
Qualification
-
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000426
Traçabilité des produits