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IGLD60R190D1AUMA3
Transistor Nitrure de gallium (GaN), 600 V, 10 A, 0.19 ohm, 3.2 nC, LSON, Montage en surface
Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIGLD60R190D1AUMA3
Code Commande3775954
Gamme de produitCoolGaN
Egalement appeléSP005557217, IGLD60R190D1
Fiche technique
Tension Vds max..600V
Courant de drain Id10A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.19ohm
Charge de porte Typique3.2nC
Type de boîtier de transistorLSON
Montage transistorMontage en surface
Nombre de broches8Broche(s)
Gamme de produitCoolGaN
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produits de remplacement pour IGLD60R190D1AUMA3
1 produit trouvé
Spécifications techniques
Tension Vds max..
600V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.19ohm
Type de boîtier de transistor
LSON
Nombre de broches
8Broche(s)
Qualification
-
Courant de drain Id
10A
Charge de porte Typique
3.2nC
Montage transistor
Montage en surface
Gamme de produit
CoolGaN
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Philippines
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Philippines
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.0001