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IGLD65R055D2AUMA1
Transistor Nitrure de gallium (GaN), 650 V, 20 A, 0.07 ohm, 4.7 nC, LSON, Montage en surface
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantIGLD65R055D2AUMA1
Code Commande4680830RL
Egalement appeléIGLD65R055D2, SP005825087
Fiche technique
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| Quantité | |
|---|---|
| 10+ | 6,570 € |
| 100+ | 5,600 € |
| 500+ | 5,020 € |
| 1000+ | 4,630 € |
Prix pour :Pièce (fournie en bande découpée)
Minimum: 10
Multiple: 1
70,70 € (sans TVA)
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIGLD65R055D2AUMA1
Code Commande4680830RL
Egalement appeléIGLD65R055D2, SP005825087
Fiche technique
Tension Drain-Source Vds650V
Courant de drain Id20A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.07ohm
Charge de porte Typique4.7nC
Nbre de broches8Broche(s)
Spécifications techniques
Tension Drain-Source Vds
650V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.07ohm
Nbre de broches
8Broche(s)
Courant de drain Id
20A
Charge de porte Typique
4.7nC
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Germany
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Germany
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:À déterminer
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Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000001
Traçabilité des produits