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IGLD65R080D2AUMA1
Transistor Nitrure de gallium (GaN), 650 V, 18 A, 0.1 ohm, 3.3 nC, LSON, Montage en surface
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantIGLD65R080D2AUMA1
Code Commande4680829RL
Egalement appeléIGLD65R080D2, SP005918713
Fiche technique
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| Quantité | |
|---|---|
| 100+ | 4,700 € |
| 500+ | 4,230 € |
| 1000+ | 3,930 € |
Prix pour :Pièce (fournie en bande découpée)
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Multiple: 1
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIGLD65R080D2AUMA1
Code Commande4680829RL
Egalement appeléIGLD65R080D2, SP005918713
Fiche technique
Tension Vds max..650V
Courant de drain Id18A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.1ohm
Charge de porte Typique3.3nC
Nombre de broches8Broche(s)
Spécifications techniques
Tension Vds max..
650V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.1ohm
Nombre de broches
8Broche(s)
Courant de drain Id
18A
Charge de porte Typique
3.3nC
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:À déterminer
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Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000001
Traçabilité des produits