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FabricantINFINEON
Réf. FabricantIMBG65R040M2HXTMA1
Code Commande4378735
Gamme de produitCoolSiC Gen 2 Series
Egalement appeléIMBG65R040M2H, SP005917207
Fiche technique
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Quantité | |
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1+ | 8,220 € |
5+ | 6,920 € |
10+ | 5,620 € |
50+ | 5,060 € |
100+ | 4,490 € |
250+ | 4,400 € |
Prix pour :Pièce (fournie en bande découpée)
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIMBG65R040M2HXTMA1
Code Commande4378735
Gamme de produitCoolSiC Gen 2 Series
Egalement appeléIMBG65R040M2H, SP005917207
Fiche technique
Configuration du module MOSFETSimple
Type de canalCanal N
Courant de drain Id49A
Tension Drain-Source Vds650V
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.036ohm
Type de boîtier de transistorTO-263
Nbre de broches7Broche(s)
Tension de test Rds(on)20V
Tension de seuil Vgs Max5.6V
Dissipation de puissance197W
Température d'utilisation Max.175°C
Gamme de produitCoolSiC Gen 2 Series
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Configuration du module MOSFET
Simple
Courant de drain Id
49A
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.036ohm
Nbre de broches
7Broche(s)
Tension de seuil Vgs Max
5.6V
Température d'utilisation Max.
175°C
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Type de canal
Canal N
Tension Drain-Source Vds
650V
Type de boîtier de transistor
TO-263
Tension de test Rds(on)
20V
Dissipation de puissance
197W
Gamme de produit
CoolSiC Gen 2 Series
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.001
Traçabilité des produits